ინფორმაცია

რა არის EEPROM მეხსიერების ტექნოლოგია

რა არის EEPROM მეხსიერების ტექნოლოგია


We are searching data for your request:

Forums and discussions:
Manuals and reference books:
Data from registers:
Wait the end of the search in all databases.
Upon completion, a link will appear to access the found materials.


EEPROM– მა ასევე მოუწოდა E2PROM არის ნახევარგამტარული მეხსიერების ჩიპის ფორმა, რომელიც გამოიყენება მრავალი წლის განმავლობაში. EEPROM ინიციალები ნიშნავს ელექტრონულად ამოსაშლელ პროგრამირებად მხოლოდ წაკითხულ მეხსიერებას და ეს გვაწვდის მუშაობის მეთოდს.

EEPROM არის არასტაბილური მეხსიერების ფორმა, სადაც მონაცემთა ინდივიდუალური ბაიტი შეიძლება წაიშალოს და გადაპროგრამდეს.

EEPROM– ის განვითარება

EEPROM / E2PROM ტექნოლოგია იყო არასტაბილური ნახევარგამტარული მეხსიერების ჩიპის ერთ-ერთი პირველი ფორმა. მისი განვითარება გამოვიდა სტანდარტული EPROM ტექნოლოგიიდან, რომელიც ფართოდ იყო გავრცელებული 1970-იანი და 1980-იანი წლების ბოლოს. ეს EPROM მეხსიერების დაპროგრამება შესაძლებელია, როგორც წესი, მანქანათ პროგრამული უზრუნველყოფით, შემდეგ კი წაშლა ჩიპის UV სინათლის ზემოქმედებით, თუ საჭიროა პროგრამული უზრუნველყოფის შეცვლა.

მიუხედავად იმისა, რომ წაშლის პროცესმა დაახლოებით ერთი საათი გასტანა, ეს საკმაოდ მისაღები იყო განვითარების გარემოში. ამასთან, ეს ნახევარგამტარული მოგონებები ელექტრონულად ვერ წაიშალა და მთლიანი ელექტრული წყობა უფრო მოსახერხებელი იქნებოდა.

1983 წელს Intel- ის განვითარების ჯგუფმა ჯორჯ პერლეგოსის ხელმძღვანელობით შეიმუშავა ტექნოლოგია, რომელიც დაფუძნებულია EPROM- ის არსებულ ტექნოლოგიაზე. არსებული EPROM სტრუქტურის დამატებით, ახალი EEPROM მეხსიერების წაშლა და პროგრამირება შესაძლებელია ელექტრონულად. პირველი EEPROM მოწყობილობა, რომელიც გამოვიდა ბაზარზე, იყო Intel 2816.

მოგვიანებით, EEPROM– ის განვითარების გამოცდილების მქონე ბევრმა დატოვა Intel და დააარსა ახალი კომპანია, სახელად Seeq Technology, რომელმაც შექმნა და აწარმოა შემდგომი EEPROM ტექნოლოგია და ნახევარგამტარული მეხსიერების სხვა მოწყობილობები.

რა არის EEPROM / E2PROM

EEPROM მეხსიერების უპირატესობა, გარდა იმისა, რომ შენახული მონაცემები არასტაბილურია, არის ის, რომ შესაძლებელია მონაცემთა წაკითხვა და ასევე წაშლა და მონაცემების ჩაწერა. მონაცემების წაშლისთვის საჭიროა შედარებით მაღალი ძაბვა და ადრეულ EEPROM– ებს გარე მაღალი ძაბვის წყარო სჭირდებოდათ. ამ მეხსიერების ჩიპების შემდეგ ვერსიებში აღიარებული იყო სირთულე მრავალი სქემის დიზაინში, რომ ჰქონოდათ დამატებითი მიწოდება მხოლოდ EEPROM– სთვის და მათში ჩართული იყო მაღალი ძაბვის წყარო EEPROM ჩიპში. ამ გზით მეხსიერების მოწყობილობა შეიძლება მუშაობდეს ერთი მიწოდებადან, რაც მნიშვნელოვნად ამცირებს საერთო წრის ღირებულებას EEPROM– ის გამოყენებით და ამარტივებს დიზაინს.

EEPROM– ის გამოყენებისას უნდა გვახსოვდეს, რომ კითხვისა და წერის ციკლები შესრულებულია ბევრად ნელა, ვიდრე RAM– ით გამოცდილი. შედეგად, საჭიროა EEPROM მეხსიერებაში შენახული მონაცემების გამოყენება ისე, რომ ეს არ შეფერხდეს საერთო სისტემის მუშაობაში. როგორც წესი, მასში შენახული მონაცემების ჩამოტვირთვა შეიძლება დაწყებისთანავე. ასევე მნიშვნელოვანია აღინიშნოს, რომ ჩაწერისა და წაშლის ოპერაციები ხორციელდება ბაიტზე თითო ბაიტის საფუძველზე.

EEPROM მეხსიერება იყენებს იგივე ძირითად პრინციპს, რომელსაც იყენებს EPROM მეხსიერების ტექნოლოგია. მიუხედავად იმისა, რომ მეხსიერების უჯრედის რამდენიმე განსხვავებული კონფიგურაცია არსებობს, რომელთა გამოყენება შეიძლება თითოეული მეხსიერების ელემენტის მიღმა, იგივე პრინციპია.

ხშირად მეხსიერების უჯრედი მოიცავს ორ საველე ეფექტის ტრანზისტორს. ერთ-ერთი ასეთია შენახვის ტრანზისტორი. ამას აქვს მცურავი კარიბჭე. ელექტრონები შეიძლება გაკეთდეს, რომ ამ კარიბჭეში მოხვდნენ, ხოლო ელექტრონების არსებობა ან არარსებობა უტოლდება იქ შენახულ მონაცემებს.

მეხსიერების უჯრედში სხვა ტრანზისტორი არის ის, რაც ცნობილია, როგორც წვდომის ტრანზისტორი და იგი საჭიროა EEPROM მეხსიერების უჯრედის ოპერაციული ასპექტებისთვის.

სერიული და პარალელური EEPROM მეხსიერება

EEPROM მეხსიერების მოწყობილობების საერთო ოჯახში ხელმისაწვდომია მეხსიერების ორი ძირითადი ტიპი. მეხსიერების მოწყობილობის მუშაობის რეალური მეთოდი დამოკიდებულია არომატის ან მეხსიერების ტიპზე და, შესაბამისად, მის ელექტრულ ინტერფეისზე.

  • სერიული EEPROM მეხსიერება: სერიული EEPROM ან E2PROM– ების მუშაობა უფრო რთულია, იმის გამო, რომ ნაკლებია ქინძისთავები, ოპერაციები უნდა შესრულდეს სერიული წესით. მონაცემების სერიული გზით გადატანის შედეგად ეს მათ ბევრად ნელა ხდის ვიდრე მათი პარალელური EEPROM კოლეგები.

    არსებობს რამდენიმე სტანდარტული ინტერფეისის ტიპი: SPI, I2C, Microwire, UNI / O და 1-Wire ხუთი საერთო ტიპია. ამ ინტერფეისებისთვის საჭიროა 1 – დან 4 – მდე კონტროლის სიგნალი მუშაობისთვის. ტიპიური EEPROM სერიული პროტოკოლი შედგება სამი ფაზისაგან: OP- კოდის ფაზა, მისამართის ფაზა და მონაცემთა ფაზა. როგორც წესი, OP-Code არის პირველი 8 ბიტიანი შენატანი EEPROM მოწყობილობის სერიული შეყვანის პინში (ან უმეტეს I²C მოწყობილობებთან ერთად, ნაგულისხმევია); მოჰყვება 8–24 ბიტიანი მისამართით, რაც დამოკიდებულია მოწყობილობის სიღრმეზე, შემდეგ წაიკითხეთ ან დაწერეთ მონაცემები.

    ამ ინტერფეისების გამოყენებით, ეს ნახევარგამტარული მეხსიერების მოწყობილობები შეიძლება შეიცავდეს რვა პინ პაკეტს. შედეგი, რომ ამ მეხსიერების მოწყობილობების პაკეტები შეიძლება გაკეთდეს ძალიან მცირე, ეს მათი მთავარი უპირატესობაა.

  • პარალელური მეხსიერება EEPROM: პარალელური EEPROM ან E2PROM მოწყობილობებს ჩვეულებრივ აქვთ 8 ბიტიანი სიგანის ავტობუსი. მსგავსი პარალელური ავტობუსის გამოყენება საშუალებას აძლევს დაფაროს მთელი მეხსიერების მრავალი პატარა პროცესორული პროგრამა. როგორც წესი, მოწყობილობებს აქვთ ჩიპების არჩევისა და დასაწერად დამცავი ქინძისთავები და ზოგიერთ მიკროკონტროლერს, რომელსაც ჰქონდა ინტეგრირებული პარალელური EEPROM პროგრამული უზრუნველყოფის შესანახად.

    პარალელური EEPROM– ის მოქმედება უფრო სწრაფია, ვიდრე შედარებული სერიული EEPROM– ის ან E– ს2PROM და ასევე ოპერაცია უფრო მარტივია, ვიდრე ეკვივალენტური სერიული EEPROM. უარყოფითი მხარეები არის ის, რომ პარალელური EEPROM უფრო დიდია, რადგან უფრო მაღალია პინების რაოდენობა. ასევე ისინი პოპულარობას ამცირებენ სერიული EEPROM ან Flash- ის სასარგებლოდ, კომფორტისა და ღირებულების შედეგად. დღეს Flash მეხსიერება გთავაზობთ უკეთეს ეფექტურობას ეკვივალენტური ღირებულებით, ხოლო სერიული EEPROM გთავაზობთ მცირე ზომის უპირატესობებს.

EEPROM მეხსიერების უკმარისობის რეჟიმები

EEPROM ტექნოლოგიის ერთ-ერთი მთავარი პრობლემაა მისი საერთო საიმედოობა. ამან ასევე გამოიწვია მათი გამოყენების შემცირება, რადგან მეხსიერების სხვა ტიპებს შეუძლიათ საიმედოობის ბევრად უკეთესი დონის შექმნა. არსებობს ორი ძირითადი გზა, რომლითაც ამ მეხსიერების მოწყობილობებს ვერ ახერხებენ:

  • მონაცემთა შენახვის დრო: მონაცემთა შენახვის დრო ძალიან მნიშვნელოვანია, განსაკუთრებით მაშინ, თუ EEPROM შეიცავს პროგრამულ უზრუნველყოფას, რომელიც საჭიროა ელექტრონული მოწყობილობის ელემენტის მუშაობისთვის, მაგ. ჩატვირთვის პროგრამა და ა.შ. მონაცემთა შენახვის პერიოდი შეზღუდულია EEPROM, E2PROM იმის გამო, რომ შენახვის დროს მცურავ ჭიშკარში შეყვანილი ელექტრონები შეიძლება იზოლატორში გადავიდეს, რადგან ეს არ არის სრულყოფილი იზოლატორი. ეს იწვევს მცურავ ჭიშკარში შენახული ნებისმიერი მუხტის დაკარგვას და მეხსიერების უჯრედი დაუბრუნდება წაშლილ მდგომარეობას. ამის განსახორციელებლად დრო ძალიან გრძელია და მწარმოებლები, როგორც წესი, მოწყობილობების უმეტესობისთვის 10 წლის ან მეტი მონაცემების შენარჩუნების გარანტიას იძლევა, თუმცა ტემპერატურას გავლენა აქვს.
  • მონაცემთა გამძლეობა: აღმოჩნდა, რომ EEPROM მეხსიერების ხელმეორედ გადატვირთვის ოპერაციების დროს მეხსიერების უჯრედის მცურავი კარიბჭის ტრანზისტორებში კარიბჭის ოქსიდი თანდათან აგროვებს ხაფანგში მყოფ ელექტრონებს. ელექტრული ველი, რომელიც დაკავშირებულია ამ ხაფანგში გატარებულ ელექტრონებთან, აერთიანებს ძებნილ ელექტრონებს მცურავ კარიბჭეში. შედეგად, იმ სახელმწიფოს, სადაც მცურავ კარიბჭეში ელექტრონები არ არის, კვლავ აქვს ნარჩენი ველი, და რადგან ეს იზრდება, რადგან უფრო მეტი ელექტრონი ხვდება, საბოლოოდ იზრდება მდგომარეობა, როდესაც შეუძლებელია ნულოვანი მდგომარეობის ბარიერის განსხვავება. აღმოჩენილია და უჯრედი დაპროგრამებულ მდგომარეობაშია. მწარმოებლები, როგორც წესი, მიუთითებენ გადატვირთვის ციკლის მინიმალურ რაოდენობაზე 10 მილიონი ან მეტი

მიუხედავად ამ ჩავარდნისა და სიცოცხლის განმავლობაში გამოყენებული მექანიზმებისა, EEPROM- ს კვლავ უჩივიან და მისი შესრულება ჩვეულებრივ დამაკმაყოფილებელია უმეტეს პროგრამებში. იმ ადგილებში, სადაც სიცოცხლის ხანგრძლივობა სავარაუდოდ არ უნდა აღემატებოდეს 10 წელს და სადაც კითხვის / წერის ციკლების რაოდენობა შეზღუდულია, EEPROM ძალიან კარგად გამოდგება. ასევე შესრულებას შეეძლება მწარმოებლებს მინიმუმის მითითება, თუმცა ამას აშკარად არ უნდა დაეყრდნონ დიზაინის ფარგლებში.

მიუხედავად იმისა, რომ Flash მეხსიერება აიღო EEPROM / E– სგან2PROM ბევრ სფეროში, მეხსიერების ტექნოლოგიის ეს ფორმა კვლავ გამოიყენება ზოგიერთ სფეროში. მას აქვს შესაძლებლობა, წაშალოს ან დაწეროს ერთი ბაიტი მონაცემები, რომელთა მეხსიერების ზოგიერთი ფორმა ვერ ახერხებს - საჭიროა სრული ბლოკის წაშლა ან ჩაწერა. როგორც ასეთი, EEPROM კვლავ იყენებს სხვადასხვა პროგრამებში.


Უყურე ვიდეოს: ყველაზე ძვირადღირებული თვითმფრინავები (მაისი 2022).